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场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，用于放大或开关信号。关于场效应管的封装管脚图，由于不同的制造商和生产批次可能会有所不同，因此具体的管脚排列可能会有所变化。建议您参考具体场效应管的制造商提供的数据手册或技术指南来获取准确的封装管脚图。
至于场效应管和金封管（通常指的是金属封装的器件）之间的区别，主要在于封装材料和工艺上，以下是它们之间的一些主要差异：
1、封装材料：场效应管通常使用塑料或陶瓷作为封装材料，而金封管则使用金属作为封装材料，金属封装可以提供更好的热传导性和机械强度，适用于一些需要更高功率或更恶劣环境的应用。
2、散热性能：由于金属封装的优良热传导性，金封管在散热性能上通常优于普通场效应管。
3、应用领域：金封管通常用于射频（RF）和微波领域，以及需要较高可靠性和稳定性的应用中，而场效应管则广泛应用于放大器、开关和射频电路等。
4、成本：金封管的成本会高于普通场效应管，因为其制造过程和材料成本较高。
在选择使用场效应管还是金封管时，需要根据具体的应用需求、成本和环境条件进行综合考虑，在需要高功率、高可靠性或恶劣环境的应用中，金封管可能是更好的选择，而在一般的应用中，场效应管可能是一种更经济实用的选择。